跟着线D集成电路的开展,刻蚀设备已跃居集成电路收购额最大的设备类型。SEMI多个方面数据显现，全球刻蚀设备商场规模约210.44亿美元，占晶圆制作设备总商场规模的22%。因为刻蚀工艺杂乱、技能壁垒高,全球刻蚀设备商场集中度高;华经工业研究院数据显现,2021年全球刻蚀设备CR3超90%。

  干法刻蚀是现在干流的刻蚀技能，可分为电容性等离子休刻蚀(CCP)和电理性等离子体刻蚀(ICP)两大类。CCP适用刻蚀硬介电资料以及孔/槽结构,其需求大多数来源于3D NAND等3D结构开展的推进ICP适用于刻蚀硬度低或较薄的资料以及发掘浅槽,因而线宽继续削减是ICP需求首要推进力。

  依据SEMI数据,中国大陆已接连四年成为全世界最大半导体设备商场。Gartner估计,2018-2025年中国大陆新建晶圆厂项目为74座,位居全球榜首。下流清晰的扩产趋势,叠加半导体全工业链火急的国产化需求,国产刻蚀设备迎来开展良机。器材结构多维度晋级同步影响需求。

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